Rastrovací mikroskopy umožňují nejen zobrazovat a charakterizovat jednotlivé atomy na povrchu pevných látek, ale také s nimi manipulovat. Tento vědecký objev otvírá zcela nové možnosti charakterizace pevných látek na atomární úrovni, především rozložení elektronové hustoty na povrchu pevné látky.

Vědci publikovali zcela nové informace o původu atomárního kontrastu takzvanou Kelvinovou sondou v posledním čísle časopisu Physical Review Letters.

Český člen týmu Pavel Jelínek z Fyzikálního ústavu AV uskutečnil sérii experimentálních měření, která umožnila hlubší vhled do původu atomárního kontrastu Kelvinovou sondou. Vědecký tým v publikované práci jednoznačně prokázal, že atomární kontrast není artefaktem měření, ale že má fyzikální původ. Atomární kontrast je důsledkem změny rozložení hustoty elektronového náboje v okolí atomů na povrchu pevné látky při řízené interakci s hrotem mikroskopu.

Jelínek uskutečnil komplexní počítačové simulace interakce hrotu rastrovacího mikroskopu s atomy na povrchu pevných látek a její vliv na změnu rozložení hustoty elektronů na povrchu pevných látek. Na základě těchto simulací vypracoval teorii, která vysvětluje možnost detekce jednotlivých atomů na povrchu pevných látek pomocí Kelvinova mikroskopu atomárních sil.

Rastrovací mikroskopy hrají zásadní roli v celé řadě vědních oborů, mimo jiné v základním i aplikovaném výzkumu materiálových vlastností pevných látek, v nanotechnologiích či v molekulární a buněčné biologii.

Možnosti dosažení atomárního rozlišení pomocí takzvaného Kelvinova mikroskopu atomárních sil, který detekuje změnu aplikovaného elektrického potenciálu, kompenzující přenos náboje mezi hrotem a povrchem pevné látky, je v poslední době předmětem intenzivních diskusí, uvedl Jelínek.